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国内首颗自研嵌入式40nm工规级存储芯片成功问世

近日,江苏华存宣布了我国第一颗国研国造的嵌入式40纳米工规级别存储节制芯片及利用存储办理规划:HC5001,这意味着我国在中高阶eMMC存储领域有了第一颗“中国芯”,并实现了量产。这次宣布的主控芯片兼具高兼容性和高稳定度,支持第5.1版内嵌式存储器标淮(eMMC5.1)、支持立体布局闪存材料(3D TLC NAND Flash)、支持随机读出写入闪存高稳定度效能算法(FTL)、支持高速闪存接口(ONFI3.2/ToggIe2.0)、支持高靠得住度低密度奇偶校验码纠错验算法(LDPC),以及40nm工艺制程满意了高效能低功耗工规级别eMMC嵌入式存储装配需求。

今年以来,我国在芯片领域接连传来好消息。2018年8月31日,华为IFA BERLIN 2018上推出举世首款7nm制程人工智妙手机芯片——麒麟980,集成了寒武纪1H的麒麟980,让 AI 谋略机能大年夜幅攀升, 在机能与能效方面继承领先业界。别的华为还宣布了自研云端AI芯片“昇腾(Ascend )”系列,首批推出7nm的昇腾910以及12nm的昇腾310。此中,昇腾910是今朝单芯片谋略密度最大年夜的芯片,谋略力远超谷歌和英伟达

8月7日,紫光旗下长江存储公开其冲破性技巧XtackingTM,且该技巧已成功利用于第二代3DNAND产品的开拓中,估计于2019年进入量产阶段。长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片。据紫光集团联席总裁刁石京走漏,长江存储32层3DNAND闪存芯片将于今年第四时度量产,而其64层3DNAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行,并计划于2019年实现量产。

此前据相关报道,神威E级原型机的处置惩罚器、收集芯片组等核心器件整个实现国产化;“河汉三号”整个应用了自立立异技巧,包括自立高涨CPU。在芯片制造领域,中芯国际在14纳米FinFET技巧开拓上得到重大年夜进展。第一代FinFET技巧研发已进入客户导入阶段。

寒武纪在2016年推出的寒武纪1A处置惩罚器是天下首款商用深度进修专用场置惩罚器,已利用于数切切智妙手机中;寒武纪在2018年推出的MLU100机械进修处置惩罚器芯片,运行主流智能算法时机能功耗比周全逾越CPU和GPU

今朝芯片财产在我国信息通信财产成长中的职位地方日趋凸显,是范例的根基性财产。对付中国这样的大年夜国来说,我们必须尽快掌握这些尖端核心技巧,否则类似卡脖子问题还会继承上演。信托跟着国家和企业层面在这方面持续努力,我国核心芯片依附国外的环境将慢慢获得改良。

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